半導體產業是現代科技的基石，但其生產過程中產生的廢水成分極其復雜且危害深遠，對傳統處理技術提出了嚴峻挑戰：

　　強酸強堿： 大量使用氫氟酸（HF）、硫酸、硝酸、氨水等進行晶圓清洗和蝕刻，導致廢水pH值波動劇烈，腐蝕性強。

　　氟化物污染： 氫氟酸蝕刻帶來的氟離子濃度極高，具有生物累積性，處理難度極大。

　　高濃度有機物： 光刻膠、顯影液、剝離液、有機溶劑（如PGMEA、丙酮、異丙醇）產生高COD、高TOC負荷。

　　重金屬及特殊污染物： 銅、鎳、錫等電鍍金屬離子；研磨廢水（CMP）中的納米級研磨顆粒（如二氧化硅、氧化鋁）和穩定劑。

　　氨氮與磷酸鹽： 化學機械拋光（CMP）等工序引入。

　　面對如此棘手的混合污染物，傳統生化法常因毒性抑制而失效，物化法處理成本高昂且產生大量危廢污泥。30℃低溫真空蒸發技術 憑借其獨特優勢脫穎而出，成為處理半導體廢水的“利器”：

　　低溫節能革命： 在真空環境下，水的沸點可大幅降低至30℃左右運行。相比傳統蒸發器動輒100℃的高溫，其能耗（主要是電能驅動真空泵）顯著降低，運行成本極具競爭力。

　　廣譜高效脫除： 蒸發過程幾乎能脫除水中所有不揮發性污染物，對氟化物、重金屬、研磨顆粒、高COD有機物、氨氮（需調節pH）等均表現出優異的去除效果（常達99.9%以上），產水水質清澈，大部分指標可達嚴格回用標準。

　　濃縮減量顯著： 將龐大體積的廢水高效濃縮成少量（通常僅原體積的5-10%）高濃度廢液，極大減少了后續危廢處理量及處置成本。

　　抗結垢能力強： 低溫運行有效抑制了鈣、鎂、硅等成垢離子在換熱面上的沉積速度，延長了清洗周期和設備使用壽命，保障了運行的連續穩定性。

　　30℃低溫蒸發技術以其卓越的污染物去除能力、顯著的節能效果和穩定的運行表現，為半導體行業提供了一種高效、經濟、可持續的廢水處理與資源化解決方案，有力支撐了產業的綠色發展。